| 发明名称 | 硅基低漏电流固支梁浮动栅的RS触发器 | ||
| 摘要 | 本发明的硅基低漏电流固支梁浮动栅的RS触发器由两个与非门构成，每一个与非门由两个NMOS管(10)与一个电阻R串联组成，其中，第一与非门(①)的一个输入端接第二与非门(②)的输出端，第二与非门(②)的一个输入端接第一与非门(①)的输出端，第一输入信号(R)接第一与非门(①)中NMOS管(10)的固支梁浮动栅(4)，第二输入信号(S)接第二与非门(②)中NMOS管(10)的固支梁浮动栅(4)；整个RS触发器基于P型Si衬底(1)上制作，四个NMOS管(10)具有可以上下浮动的固支梁浮动栅(4)，该RS触发器不仅结构简单、易于集成，而且还拥有低栅极漏电流、低直流功耗的优点。 | ||
| 申请公布号 | CN104935299A | 申请公布日期 | 2015.09.23 |
| 申请号 | CN201510379742.4 | 申请日期 | 2015.07.01 |
| 申请人 | 东南大学 | 发明人 | 廖小平;褚晨蕾 |
| 分类号 | H03K3/012(2006.01)I;H03K3/02(2006.01)I | 主分类号 | H03K3/012(2006.01)I |
| 代理机构 | 南京瑞弘专利商标事务所(普通合伙) 32249 | 代理人 | 杨晓玲 |
| 主权项 | 一种硅基低漏电流固支梁浮动栅的RS触发器，其特征在于该RS触发器由两个与非门构成，每一个与非门由两个NMOS管(10)与一个电阻R串联组成，其中，第一与非门(①)的一个输入端接第二与非门(②)的输出端，第二与非门(②)的一个输入端接第一与非门(①)的输出端，第一输入信号(R)接第一与非门(①)中NMOS管(10)的固支梁浮动栅(4)，第二输入信号(S)接第二与非门(②)中NMOS管(10)的固支梁浮动栅(4)；整个RS触发器基于P型Si衬底(1)上制作，四个NMOS管(10)具有可以上下浮动的固支梁浮动栅(4)，该固支梁浮动栅(4)由Al制作，固支梁浮动栅(4)的两端固定在锚区(2)上，中间横跨在栅氧化层(9)上方，在固支梁浮动栅(4)下方有两个下拉电极(5)，分布在锚区(2)与栅氧化层(9)之间，下拉电极(5)是接地的，其上还覆盖有氮化硅介质层(6)，这种结构具有低漏电流、低功耗的巨大优点。 | ||
| 地址 | 211189 江苏省南京市江宁区东南大学路2号 | ||