共平面型氧化物半导体TFT基板结构及其制作方法

摘要

本发明提供一种共平面型氧化物半导体TFT基板结构及其制作方法，所述共平面型氧化物半导体TFT基板结构中，有源层包括本体及连接本体的数条短沟道，所述数条短沟道通过数个条状金属电极间隔开，使得所述有源层具有较高的迁移率及较低的漏电流，从而改善TFT器件的性能。本发明提供的一种共平面型氧化物半导体TFT基板结构的制备方法，通过在源极与漏极之间形成间隔设置的数个条状金属电极，使得沉积氧化物半导体层时，可以在源极与漏极之间形成由数个条状金属电极间隔开的数条短沟道，该方法简单，不需要额外的光罩或者增加制程，即可获得不同于现有结构的有源层，制得的有源层具有较高的迁移率及较低的漏电流，从而改善TFT器件的性能。

主权项

一种共平面型氧化物半导体TFT基板结构，其特征在于，包括：基板(10)，位于基板(10)上的第一栅极(21)与第二栅极(22)，位于第一栅极(21)、第二栅极(22)、及基板(10)上的栅极绝缘层(30)，位于栅极绝缘层(30)上的源极(41)、漏极(42)、及位于源极(41)与漏极(42)之间且间隔设置的数个条状金属电极(43)，位于所述源极(41)、漏极(42)、条状金属电极(43)、及栅极绝缘层(30)上的有源层(50)，位于所述有源层(50)、源极(41)、及漏极(42)上的钝化层(60)；其中，所述有源层(50)包括本体(51)及连接本体(51)且位于源极(41)与漏极(42)之间的数条短沟道(52)，所述数条短沟道(52)通过数个条状金属电极(43)间隔开。