半导体元件及其制造方法

摘要

本发明公开了一种半导体元件及其制造方法，所述半导体元件包含：基板、第一及第二槽状结构。第一槽状结构位于该基板，包含第一导电层、第一掺杂层及第一绝缘层，第一绝缘层位于该第一导电层与该第一掺杂层之间。第二槽状结构位于该基板，与该第一槽状结构之间以该基板的一间隔部分作为间隔，包含第二导电层及第二绝缘层。该第一掺杂层设置第一接点，该基板的该间隔部分设置第二接点，该第二导电层设置第三接点；其中，该基板的该间隔部分形成一电阻，耦接该第一接点与该第二接点之间，该基板、该第二绝缘层及该第二导电层形成一电容，耦接该第二接点与该第三接点之间。本发明能够缩小元件面积。

主权项

一种半导体元件，包含：一基板；一第一槽状结构，位于该基板，包含：一第一导电层；一第一掺杂层，其掺杂浓度高于该基板的掺杂浓度；以及一第一绝缘层，位于该第一导电层与该第一掺杂层之间；一第二槽状结构，位于该基板，与该第一槽状结构之间以该基板的一间隔部分作为间隔，包含：一第二导电层；一第二掺杂层，其掺杂浓度高于该基板的掺杂浓度；以及一第二绝缘层，位于该第二导电层与该第二掺杂层之间；一第一接点，连接该第一掺杂层；一第二接点，连接该第二掺杂层；以及一第三接点，连接该第二导电层；其中，该基板的该间隔部分形成一电阻，耦接该第一接点与该第二接点之间，该第二掺杂层、该第二绝缘层及该第二导电层形成一电容，耦接该第二接点与该第三接点之间。