存储装置及其制造方法

摘要

本发明是关于一种存储装置，包括衬底、井区、隧穿介电层、第一导体层、隔离结构以及阻障层。井区位于衬底中，隧穿介电层位于井区上，第一导体层位于隧穿介电层上，隔离结构位于第一导体层、隧穿介电层、井区以及衬底中，其中隔离结构与井区之间具有阻障层。本发明可以改善存储装置的临界电压的均匀性以及隧穿电流的均匀性。

主权项

一种存储装置，其特征在于包括：井区，位于衬底中；隧穿介电层，位于该井区上；第一导体层，位于该隧穿介电层上；隔离结构，位于该第一导体层、该隧穿介电层、该井区以及该衬底中；以及阻障层，位于该隔离结构与该井区之间。