发明名称 一种集成电路封装结构
摘要 本实用新型公开了一种集成电路封装结构,包括P型硅衬底、源极、栅极、二氧化硅绝缘层、漏极、驱动电路、包络发生器、衬底引线、音调发生器、振荡电路、节奏发生器和速度控制器,二氧化硅绝缘层安装在P型硅衬底的顶部中间,栅极固定在二氧化硅绝缘层的底部,源极和漏极安装在二氧化硅绝缘层的左右两端的P型硅衬底的顶部,源极和漏极的下端的P型硅衬底上设置有耗尽层,驱动电路、包络发生器、音调发生器、振荡电路、节奏发生器和速度控制器依次均匀的安装在P型硅衬底内,衬底引线设置在P型硅衬底的底部。本实用新型结构简单、体积小、使用寿命长,耗尽层能够防止源极、栅极和漏极的消耗,二氧化硅绝缘层能够有效防止短路。
申请公布号 CN204668290U 申请公布日期 2015.09.23
申请号 CN201520436845.5 申请日期 2015.06.24
申请人 林乐宗 发明人 林乐宗
分类号 H01L23/28(2006.01)I 主分类号 H01L23/28(2006.01)I
代理机构 代理人
主权项  一种集成电路封装结构,包括P型硅衬底(1)、源极(2)、栅极(3)、二氧化硅绝缘层(4)、漏极(5)、驱动电路(7)、包络发生器(8)、衬底引线(9)、音调发生器(10)、振荡电路(11)、节奏发生器(12)和速度控制器(13),其特征在于:所述二氧化硅绝缘层(4)安装在P型硅衬底(1)的顶部中间,所述栅极(3)固定在二氧化硅绝缘层(4)的顶部,所述源极(2)和漏极(5)安装在二氧化硅绝缘层(4)的左右两端的P型硅衬底(1)的顶部,所述源极(2)和漏极(5)的下端的P型硅衬底(1)内设置有耗尽层(6),所述驱动电路(7)、包络发生器(8)、音调发生器(10)、振荡电路(11)、节奏发生器(12)和速度控制器(13)依次安装在P型硅衬底(1)内,所述衬底引线(9)设置在P型硅衬底(1)的底部。
地址 362000 福建省泉州市永春县石鼓镇社山村493号