| 摘要 |
Structure intégrée comprenant une paire de transistors MOS (TR1, TR2) voisins, chaque transistor (TR1, TR2) comportant une région de grille (RG1, RG2) séparée d'un substrat sous-jacent (1) par un premier diélectrique de grille (OX1), une région supplémentaire (RG3), comportant un matériau de grille, séparée des deux régions de grilles (RG1, RG2) par un deuxième diélectrique de grille (OX12), et possédant un élément continu (RG30) situé au-dessus d'une partie des deux régions de grilles et une branche (RG31) solidaire d'une zone de la face inférieure dudit élément et s'étendant entre les et à distance des deux régions de grilles jusqu'au premier diélectrique de grille. |
