| 发明名称 | 存储器及其形成 | ||
| 摘要 | 本发明揭示存储器及其形成。一个此种存储器具有：在所述存储器的第一垂直层级处的第一及第二存储器单元；在所述存储器的第二垂直层级处的第一及第二存储器单元；选择性地耦合到在所述第一及第二垂直层级处的所述第一存储器单元的第一数据线；及在所述第一数据线上方且选择性地耦合到在所述第一及第二垂直层级处的所述第二存储器单元的第二数据线。 | ||
| 申请公布号 | CN102959632B | 申请公布日期 | 2015.09.23 |
| 申请号 | CN201180032004.2 | 申请日期 | 2011.06.29 |
| 申请人 | 美光科技公司 | 发明人 | 山·D·唐;尼尚特·辛哈 |
| 分类号 | G11C7/18(2006.01)I;G11C16/02(2006.01)I;H01L27/115(2006.01)I | 主分类号 | G11C7/18(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人 | 宋献涛 |
| 主权项 | 一种存储器，其包括：在所述存储器的第一垂直层级处的第一及第二存储器单元；在所述存储器的第二垂直层级处的第一及第二存储器单元；选择性地耦合到在所述第一及第二垂直层级处的所述第一存储器单元的第一数据线；在所述第一数据线上方且选择性地耦合到在所述第一及第二垂直层级处的所述第二存储器单元的第二数据线，其中所述第二数据线位于所述第一及第二垂直层级下方；及选择栅极，所述选择栅极包括耦合到所述第一数据线的第一源极/漏极及耦合到在所述第一及第二垂直层级处的所述第一存储器单元的第二源极/漏极，所述第一源极/漏极与在所述第一及第二垂直层级处的所述第二存储器单元垂直对准，且所述第二源极/漏极与在所述第一及第二垂直层级处的所述第一存储器单元垂直对准。 | ||
| 地址 | 美国爱达荷州 | ||