| 发明名称 | 双口RAM控制综合实验装置 | ||
| 摘要 | 一种双口RAM控制综合实验装置，用于对整个装置进行控制的主控制器3；主控制器1，该电路与主控制器3相连；主控制器2，该电路与主控制器3相连；按键输入电路，该电路的输出端接主控制器3；SRAM读写控制电路，该电路与主控制器3相连。本实用新型具有电路简单、操作方便、实用性强等优点，使学生系统化的学电路知识，更深入的了解单片机系统、微处理器系统、FPGA系统的工作原理及应用，提高学生的兴趣，开阔学生的视野。锻炼学生系统的分析问题，解决问题，及实际动手能力，可在教学中广泛推广使用。 | ||
| 申请公布号 | CN204667084U | 申请公布日期 | 2015.09.23 |
| 申请号 | CN201520234949.8 | 申请日期 | 2015.04.17 |
| 申请人 | 榆林学院 | 发明人 | 李增生;党学立;王晶 |
| 分类号 | G05B19/042(2006.01)I;G09B23/18(2006.01)I | 主分类号 | G05B19/042(2006.01)I |
| 代理机构 | 西安永生专利代理有限责任公司 61201 | 代理人 | 申忠才 |
| 主权项 | 一种双口RAM控制综合实验装置，其特征在于它具有：用于对整个装置进行控制的主控制器3；主控制器1，该主控制器与主控制器3相连；主控制器2，该主控制器与主控制器3相连；按键输入电路，该电路的输出端接主控制器3；SRAM读写控制电路，该电路与主控制器3相连。 | ||
| 地址 | 719000 陕西省榆林市榆阳区西沙文化北路2号 | ||