| 发明名称 | 用于高速低功耗相变存储器的Ge/Sb类超晶格相变薄膜材料及其制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种用于高速低功耗相变存储器的Ge/Sb类超晶格相变薄膜材料，其特征在于：Ge/Sb类超晶格相变薄膜材料为多层膜结构，由Ge层和Sb层交替沉积复合而成，将一层Ge层和一层Sb层作为一个交替周期，后一个交替周期的Ge层沉积在前一个交替周期的Sb层上方。本发明的Ge/Sb类超晶格相变薄膜材料利用类超晶格结构中多层界面的夹持效应，减小晶粒尺寸，从而缩短结晶时间、抑制晶化，在提高材料热稳定性的同时加快相变速度。本发明的Ge/Sb类超晶格相变薄膜材料的RESET电压比相同电压脉冲下的Ge<sub>2</sub>Sb<sub>2</sub>Te<sub>5</sub>薄膜的RESET电压低30%以上，说明本发明的GeSb类超晶格相变薄膜材料具有更低的功耗。 | ||
| 申请公布号 | CN104934533A | 申请公布日期 | 2015.09.23 |
| 申请号 | CN201510206563.0 | 申请日期 | 2015.04.27 |
| 申请人 | 江苏理工学院 | 发明人 | 胡益丰;朱小芹;吴世臣;邹华;袁丽;吴卫华;张建豪;眭永兴;沈大华 |
| 分类号 | H01L45/00(2006.01)I;B82Y30/00(2011.01)I;B82Y40/00(2011.01)I;C23C14/35(2006.01)I;C23C14/16(2006.01)I;C23C14/18(2006.01)I | 主分类号 | H01L45/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 常州市江海阳光知识产权代理有限公司 32214 | 代理人 | 孙培英 |
| 主权项 | 一种用于高速低功耗相变存储器的Ge/Sb类超晶格相变薄膜材料，其特征在于：Ge/Sb类超晶格相变薄膜材料为多层膜结构，由Ge层和Sb层交替沉积复合而成，将一层Ge层和一层Sb层作为一个交替周期，后一个交替周期的 Ge层沉积在前一个交替周期的Sb层上方；所述Ge/Sb类超晶格相变薄膜材料的膜结构用通式[Ge(a)/Sb(b)]<sub>x</sub>表示，其中a为单层Ge层的厚度，1nm≤a≤50nm；b为单层Sb层的厚度，1nm≤b≤50nm；x为Ge层和Sb层的交替周期数，x为正整数。 | ||
| 地址 | 213001 江苏省常州市钟楼区中吴大道1801号 | ||