| 发明名称 | 半导体装置 | ||
| 摘要 | 实施方式提供一种能够抑制晶片以及芯片的翘曲从而提高制造合格率的半导体装置。实施方式的半导体装置具有：半导体层；第一电极，设置在所述半导体层的表面上；多个第二电极，设置在所述第一电极上，与所述半导体层的所述表面平行的截面形状为具有50微米以下的边的矩形；以及树脂层，设置在所述多个第二电极之间，延展性比所述第二电极高。 | ||
| 申请公布号 | CN104934394A | 申请公布日期 | 2015.09.23 |
| 申请号 | CN201410305752.9 | 申请日期 | 2014.06.30 |
| 申请人 | 株式会社东芝 | 发明人 | 岸田基也;西川幸江;高桥宣博;赤池康彦 |
| 分类号 | H01L23/485(2006.01)I | 主分类号 | H01L23/485(2006.01)I |
| 代理机构 | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人 | 戚宏梅;杨谦 |
| 主权项 | 一种半导体装置，其中，具备：半导体层；第一电极，设置在所述半导体层的表面上；多个第二电极，设置在所述第一电极上，与所述半导体层的所述表面平行的截面形状为具有50微米以下的边的矩形；以及树脂层，设置在所述多个第二电极之间，延展性比所述第二电极高。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||