| 发明名称 | 一种NAND型闪存存储器读取操作时的字线电压生成电路 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种NAND型闪存存储器读取操作时的字线电压生成电路，包括第一电压生成电路、第二电压生成电路和字线电压生成电路；所述第一电压生成电路生成不随温度变化的第一电压；所述第二电压生成电路生成具有正温度系数的第二电压；所述字线电压生成电路对所述第一电压和第二电压进行运算得到具有负温度系数的字线电压并输出。本发明的一种NAND型闪存存储器读取操作时的字线电压生成电路能够生成具有负温度系数的字线电压，且字线电压的负温度系数在-1.5mV/℃附近可调，从而在对NAND型闪存存储器进行读取操作时，能够补偿NAND型闪存存储器的存储单元的负温度系数阈值电压，提高NAND型闪存存储器读取操作的准确性。 | ||
| 申请公布号 | CN104934068A | 申请公布日期 | 2015.09.23 |
| 申请号 | CN201510393448.9 | 申请日期 | 2015.07.07 |
| 申请人 | 合肥恒烁半导体有限公司 | 发明人 | 刁静 |
| 分类号 | G11C16/26(2006.01)I;G11C16/34(2006.01)I | 主分类号 | G11C16/26(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海硕力知识产权代理事务所 31251 | 代理人 | 郭桂峰 |
| 主权项 | 一种NAND型闪存存储器读取操作时的字线电压生成电路，其特征在于：包括第一电压生成电路、第二电压生成电路和字线电压生成电路；所述第一电压生成电路生成不随温度变化的第一电压；所述第二电压生成电路生成具有正温度系数的第二电压；所述第一电压和第二电压输入所述字线电压生成电路，所述字线电压生成电路对所述第一电压和第二电压进行运算得到具有负温度系数的字线电压并输出。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区居里路123号4号楼501室 | ||