主权项 |
一种砷化镓基低漏电流双悬臂梁开关或非门,其特征是该或非门由具有双悬臂梁开关N型MESFET(1),电阻(2)和电源组成,该双悬臂梁开关MESFET(1)是制作在半绝缘GaN衬底(3)上,该双悬臂梁开关MESFET(1)的源极(10)和漏极(12)由金属和重掺杂N区形成欧姆接触构成,栅极(5)由钛/铂/金合金和N型有源层(11)形成肖特基接触构成,在悬臂梁开关N型MESFET(1)的栅极(5)上方悬浮着两个用钛/金/钛制作而成的对称设计的悬臂梁开关(6),两个悬臂梁开关(6)的悬浮端之间留有一定缝隙以保证两个悬臂梁开关(6)下拉时互不干扰,两个悬臂梁开关(6)的位置关于该MESFET源‑漏方向对称,悬臂梁开关(6)的锚区(7)制作在半绝缘GaN衬底(3)上,在悬臂梁开关(6)与衬底之间存在下拉电极(8),下拉电极(8)由氮化硅材料(9)覆盖,悬臂梁开关N型MESFET(1)的下拉电极(8)接地,该双悬臂梁开关MESFET(1)的源极(10)接地,漏极(12)通过电阻(2)与电源VCC相连,源极(10)和漏极(12)分别与引线(4)连接,引线(4)用金制作,两路输入信号即信号A和信号B分别在双悬臂梁开关MESFET(1)的两个悬臂梁开关(6)输入,输出信号Y在该双悬臂梁开关MESFET(1)的漏极(12)与电阻(2)之间输出,电阻(2)的阻值远大于该MESFET导通的阻抗,从而保证在悬臂梁开关N型MESFET(1)导通时由电阻分压得到输出为低电平。 |