| 发明名称 | 传感器芯片的空腔形成方法、制造方法、芯片及电子设备 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种传感器芯片的空腔形成方法、制造方法、芯片及电子设备。用于形成微机电系统压力传感器芯片中的空腔的方法，包括：在衬底上形成第一凹槽；将覆盖层键合到衬底上，以覆盖第一凹槽，从而形成空腔；以及对覆盖层进行蚀刻，以降低覆盖层厚度。 | ||
| 申请公布号 | CN104925745A | 申请公布日期 | 2015.09.23 |
| 申请号 | CN201510210301.1 | 申请日期 | 2015.04.28 |
| 申请人 | 歌尔声学股份有限公司 | 发明人 | 蔡孟锦;宋青林 |
| 分类号 | B81C1/00(2006.01)I;B81C3/00(2006.01)I | 主分类号 | B81C1/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京博雅睿泉专利代理事务所(特殊普通合伙) 11442 | 代理人 | 马佑平;杨国权 |
| 主权项 | 一种用于形成微机电系统压力传感器芯片中的空腔的方法，包括：在衬底上形成第一凹槽；将覆盖层键合到衬底上，以覆盖第一凹槽，从而形成空腔；以及对覆盖层进行蚀刻，以降低覆盖层厚度。 | ||
| 地址 | 261031 山东省潍坊市高新技术开发区东方路268号 | ||