发明名称 高频PWM技术双向DC/DC能量交换电路
摘要 本发明公开了一种高频PWM技术双向DC/DC能量交换电路,包括高压倍压电路和低压倍压电路,所述的高压倍压电路包括第一电解电容、变压器原边的一次绕组、变压器原边的二次绕组、第一二极管以及第一MOS管,直流高压端的正端与所述的变压器原边的一次绕组、二次绕组的异名端连接;所述的低压倍压电路包括变压器的副边绕组、第二MOS管、第三MOS管、PNP三极管、第二电解电容以及储能电感,直流低压端的正端与所述的第二电解电容的正端连接。本发明适用于需要在两个直流电系统之间双向能量交换的场合,通过电路中的高低压MOS管的PWM频率、脉宽控制,使DC/DC的能量能够相互传递交换。
申请公布号 CN103414348B 申请公布日期 2015.09.23
申请号 CN201310294100.5 申请日期 2013.07.11
申请人 杭州可靠性仪器厂 发明人 曹骥;肖本涛
分类号 H02M3/335(2006.01)I 主分类号 H02M3/335(2006.01)I
代理机构 杭州天正专利事务所有限公司 33201 代理人 王兵;黄美娟
主权项 高频PWM技术双向DC/DC能量交换电路,包括高压倍压电路和低压倍压电路,其特征在于:所述的高压倍压电路包括一具有高压场效应MOS管的第一驱动电路和消磁电路,所述的第一驱动电路包括变压器原边的一次绕组、变压器原边的二次绕组、第一二极管以及第一MOS管,直流高压端的正端与所述的变压器原边的一次绕组、二次绕组的异名端连接;所述的一次绕组的另一端与第一二极管的阳极连接,所述的第一二极管的阴极与第一MOS管的漏极连接,所述的第一MOS管的栅极与PWM信号相连,所述的第一MOS管的栅极与源极间并联有第一电阻和第二电容;变压器原边的二次绕组的同名端与所述的消磁电路连接;所述的消磁电路的一端与所述的第一MOS管的源极相互连接后接地;所述的低压倍压电路包括具有低压场效应MOS管的第二驱动电路和储能元件,所述的第二驱动电路包括变压器的副边绕组、第二MOS管、第三MOS管、PNP三极管,直流低压端的正端与所述的变压器的副边绕组的同名端连接,所述的变压器副边绕组的同名端分别与第三MOS管的漏极和储能元件连接,副边绕组的另一端与所述的第二MOS管的漏极连接,所述的第二MOS管的栅极与第三电阻以及第三电容串联,此串联电路与副边绕组的同名端连接;所述的第二MOS管的漏极和源极间并联有串联的第四电阻和第四电容;所述的第三MOS管的栅极与第六电阻的一端相连,所述的第六电阻的另一端与所述的PNP三极管的基极相连,所述的PNP三极管的发射极与第五电阻的一端连接并与PWM信号连接,所述的第五电阻的另一端接地;所述的PNP三极管的集电极与第二MOS管的源极连接;所述的储能元件的一端与第三MOS管的漏极连接;所述的第三MOS管的源极和第二MOS管的源极相连接,并通过连接第七电阻后接地;当第一MOS管处于导通状态时,能量经由第三MOS管储存于储能元件中;当第一MOS管处于关闭状态、第三MOS管处于导通状态时,能量经由变压器升压传递到直流高压端。
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