发明名称 一种MEMS器件切割方法
摘要 本发明提供一种MEMS器件切割方法,所述工艺包括:提供边缘具有一第一刻痕的衬底晶圆,在所述第一刻痕两侧定义两条平行的预切割道;并在所述切割道上设置切割对准标记;提供边缘具有一第二刻痕的盖帽晶圆;将所述盖帽晶圆键合于所述衬底晶圆上,并使所述第二刻痕与所述第一刻痕呈对角对准;去除所述盖帽晶圆上边缘部分,暴露出所述衬底晶圆上的第一刻痕;对准所述第一刻痕和第二刻痕对应平行的两侧进行切割,暴露出所述预切割道上的切割对准标记;根据所述切割对准标记切割与所述预切割道垂直的切割道,并根据所述两条预切割道间的距离切割与所述预切割道平行的切割道。本发明通过精确的对准步骤准确找到切割对准标记,避免盲切引起的器件损伤,大大提高了切割工艺的可靠性,进而提高MEMS产品的产率。
申请公布号 CN104925741A 申请公布日期 2015.09.23
申请号 CN201410105966.1 申请日期 2014.03.20
申请人 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 发明人 郑超;王伟
分类号 B81C1/00(2006.01)I 主分类号 B81C1/00(2006.01)I
代理机构 上海光华专利事务所 31219 代理人 李仪萍
主权项 一种MEMS器件切割方法,其特征在于,所述MEMS器件切割方法至少包括步骤:提供边缘具有一第一刻痕的衬底晶圆,在所述第一刻痕两侧定义两条平行的预切割道,并在所述切割道上设置切割对准标记;所述衬底晶圆关于所述预切割道对称;提供边缘具有一第二刻痕的盖帽晶圆;将所述盖帽晶圆键合于所述衬底晶圆上,并使所述第二刻痕与所述第一刻痕呈对角对准;切割去除所述盖帽晶圆上除第二刻痕外的边缘部分,以暴露出所述衬底晶圆上的第一刻痕;对准所述第一刻痕和第二刻痕对应平行的两侧进行预切割,暴露出所述预切割道上的切割对准标记;根据所述切割对准标记切割与所述预切割道垂直的切割道,并根据两条所述预切割道间的距离切割与所述预切割道平行的切割道,最终完成MEMS器件的切割工艺。
地址 201203 上海市浦东新区张江路18号
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