| 发明名称 | 具有改进的栅极电荷的功率半导体晶体管 | ||
| 摘要 | 提供了一种具有改进的栅极电荷的功率半导体晶体管。开槽栅极功率晶体管是横向功率器件，其包括：衬底；形成在衬底上方的栅极电介质；在栅极电介质下方在衬底中的沟道区；以及形成在栅极电介质上方的栅电极层。栅电极层在沟道区、积累区、以及氧化物填充浅沟槽隔离(或STI)区或局部氧化硅(LOCOS)区之下的漂移区上方与栅极电介质重叠。开槽栅极功率晶体管包括在积累区上方在栅电极层上的一个或更多个槽或开口。在整个栅电极层上保持了电连接性而不需要外部布线。 | ||
| 申请公布号 | CN104934477A | 申请公布日期 | 2015.09.23 |
| 申请号 | CN201510118084.3 | 申请日期 | 2015.03.18 |
| 申请人 | 美国芯凯公司;富达硅公司 | 发明人 | 法希德·伊拉瓦尼;扬·尼尔森 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L29/423(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 杜诚;陈炜 |
| 主权项 | 一种晶体管，包括：衬底；在所述衬底上的栅极氧化物层，以及在所述栅极氧化物层上的栅电极层；第一端子区；第二端子区；在所述栅极氧化物层下方的沟道区；以及在所述第二端子区与所述沟道区之间的积累区，其中，所述栅电极层包括在所述积累区上方的一个或更多个开口。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||