发明名称 | 一种制作半导体器件的方法 | ||
摘要 | 本发明公开了一种制作半导体器件的方法,根据本发明的制作方法利用氧清除效应以改变界面层(IL)的物理厚度,该方法实现了在半导体衬底的不同区域形成不同厚度的介电层,所述介电层包括高K介电层和IL介电层,同时满足了调节不同电压器件的要求,提高半导体器件的整体性能,提高半导体的良品率。本发明的制作方法适用于平面场效应晶体管半导体技术和FinFET(鳍片场效应晶体管)半导体技术。 | ||
申请公布号 | CN104934376A | 申请公布日期 | 2015.09.23 |
申请号 | CN201410100745.5 | 申请日期 | 2014.03.18 |
申请人 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 发明人 | 库尔班·阿吾提 |
分类号 | H01L21/8238(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/8238(2006.01)I |
代理机构 | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人 | 董巍;高伟 |
主权项 | 一种制作半导体器件的方法,包括:提供具有标准阈值电压区域、高阈值电压区域和低阈值电压区域的半导体衬底,所述标准阈值电压区域包括第一虚拟栅极,所述低阈值电压区域包括第二虚拟栅极,所述高阈值电压区域包括第三虚拟栅极;去除所述标准阈值电压区域中的所述第一虚拟栅极,去除所述低阈值电压区域中的所述第二虚拟栅极,去除所述高阈值电压区域中的所述第三虚拟栅极,以在所述标准阈值电压区域中形成第一沟槽,在所述低阈值电压区域中形成第二沟槽,在所述高阈值电压区域中形成第三沟槽;在所述第一沟槽、所述第二沟槽和所述第三沟槽的底部及侧壁上依次沉积形成高K介电层和覆盖层;去除所述高阈值电压区域中的所述覆盖层以露出所述高K介电层;对所述低阈值电压区域执行氧清除剂注入;执行退火步骤。 | ||
地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 |