| 发明名称 | 具有读优选单元结构、写驱动器的静态随机存取存储器(SRAM)、相关系统和方法 | ||
| 摘要 | 公开了具有读优选单元结构和写驱动器的静态随机存取存储器(SRAM)。在一个实施例中，该SRAM具有六晶体管位单元。读优选位单元是通过提供两个反相器来实现的，这两个反相器各自具有上拉晶体管、下拉晶体管和传输门晶体管。每个上拉晶体管与反馈环相关联。该反馈环改进了随机静态噪声容限。每个晶体管具有宽度和长度。传输门晶体管的长度被增大。各下拉晶体管的宽度彼此相等并且还等于传输门晶体管的宽度。传输门和各下拉晶体管的宽度也可相对于先前设计而增大。还可使用写辅助电路来改进性能。 | ||
| 申请公布号 | CN104937665A | 申请公布日期 | 2015.09.23 |
| 申请号 | CN201480005383.X | 申请日期 | 2014.01.22 |
| 申请人 | 高通股份有限公司 | 发明人 | S-O·郑;Y·杨;B·杨;Z·王;C·F·耶普 |
| 分类号 | G11C11/412(2006.01)I;G11C11/417(2006.01)I | 主分类号 | G11C11/412(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人 | 周敏 |
| 主权项 | 一种静态随机存取存储器(SRAM)，包括：第一反相器，其包括第一上拉(PU)晶体管和第一下拉(PD)晶体管，并且所述第一PU晶体管包括第一背栅反馈环，所述第一PD晶体管具有第一宽度(W<sub>PD1</sub>)；第二反相器，其包括第二PU晶体管和第二PD晶体管，并且所述第二PU晶体管包括第二背栅反馈环，所述第二PD晶体管具有基本等于W<sub>PD1</sub>的第二宽度(W<sub>PD2</sub>)；第一传输门(PG)晶体管，其与所述第一反相器相关联，其中所述第一PG晶体管包括基本等于W<sub>PD1</sub>的第一PG宽度(W<sub>PG1</sub>)；以及第二PG晶体管，其与所述第二反相器相关联，其中所述第二PG晶体管具有基本等于W<sub>PD2</sub>的第二PG宽度(W<sub>PG2</sub>)。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||