发光二极管阵列

摘要

本实用新型涉及一种发光二极管阵列。本实用新型的发光二极管阵列包括：基板；发光二极管，位于上述基板，分别包括第一半导体层、活性层、第二半导体层及外露有上述第一半导体层的一部分的第一开口部；下部电极，配置于上述第二半导体层；上部电极，通过上述第一开口部与上述第一半导体层电气连接；以及第一层间绝缘膜，配置于上述发光二极管及上述上部电极之间，使上述上部电极与上述发光二极管的侧面相绝缘，上述第一开口部与上述第二半导体层的一侧并行地配置，上述上部电极的至少一个具有通过上述第一层间绝缘膜外露有上述下部电极的一部分的第二开口部。本实用新型可提供具有改善结构的倒装芯片类型的发光二极管阵列。

主权项

一种发光二极管阵列，其特征在于，包括：基板；发光二极管，位于所述基板，分别包括第一半导体层、活性层、第二半导体层及外露有所述第一半导体层的一部分的第一开口部；下部电极，配置于所述第二半导体层；上部电极，通过所述第一开口部与所述第一半导体层电气连接；以及第一层间绝缘膜，配置于所述发光二极管及所述上部电极之间，使所述上部电极与所述发光二极管的侧面相绝缘，所述第一开口部与所述第二半导体层的一侧并行地配置，所述上部电极的至少一个具有通过所述第一层间绝缘膜外露有所述下部电极的一部分的第二开口部。