形成自对准帽的方法和设备

摘要

使衬底上方的介电层中的至少一根导电线凹进以形成沟道。所述沟道自对准于所述导电线。能够通过使用包括提供独立于晶体取向的刻蚀的均匀性的抑制剂的化学物质来将所述导电线刻蚀至预定的深度而形成所述沟道。将阻止电迁移的帽层沉积于所述沟道中的所述凹进的导电线上。所述沟道被配置为使所述帽层包含在所述导电线的所述宽度内。

主权项

一种设备，包括：包括硅的衬底；位于所述衬底上方的层间介电层，所述层间介电层包括硅、氧和碳，所述层间介电层具有顶部边界；位于所述层间介电层中的沟槽，所述沟槽具有内部侧壁；包括钽和氮的阻挡层，其位于所述沟槽的所述内部侧壁上；位于所述沟槽中的导电材料，所述阻挡层位于所述导电材料与所述层间介电层之间，所述导电材料包括铜和钴；以及位于所述导电材料的顶部的帽区，所述帽区包括钴，所述帽区的靠近所述层间介电层的顶部不高于所述层间介电层的靠近所述帽区的所述顶部边界。