发明名称 |
一种光伏电池的制造方法 |
摘要 |
本发明公开了一种光伏电池的制造方法,依次包括如下步骤:(1)提供基板;(2)在基板上依次形成第一透明导电层、非晶硅薄膜层、超晶格P型半导体层、第一非晶碳薄膜层、本征非晶硅半导体层;N型非晶硅半导体层;第二非晶碳薄膜层、第二透明导电层以及电极。 |
申请公布号 |
CN103594552B |
申请公布日期 |
2015.09.23 |
申请号 |
CN201310500100.6 |
申请日期 |
2013.10.22 |
申请人 |
溧阳市东大技术转移中心有限公司 |
发明人 |
丛国芳 |
分类号 |
H01L31/20(2006.01)I |
主分类号 |
H01L31/20(2006.01)I |
代理机构 |
南京天翼专利代理有限责任公司 32112 |
代理人 |
黄明哲 |
主权项 |
一种光伏电池的制造方法,依次包括如下步骤:(1)提供基板;(2)在基板上依次形成第一透明导电层、非晶硅薄膜层、超晶格P型半导体层、第一非晶碳薄膜层、本征非晶硅半导体层、N型非晶硅半导体层、第二非晶碳薄膜层、第二透明导电层以及电极;所述步骤(2)中,首先在第一透明导电层上沉积非晶硅;对非晶硅进行光刻,然后刻蚀该非晶硅,从而在非晶硅上刻蚀出凹槽,然后在凹槽中沉积非晶碳,使得非晶碳完全将凹槽填充满,接着对填充有非晶碳的非晶硅进行平坦化,使得非晶硅与非晶碳的上表面平坦化,从而分别形成非晶硅薄膜层、非晶硅材料层以及非晶碳材料层,其中非晶硅材料层与非晶碳材料层共同构成超晶格P型半导体层。 |
地址 |
213300 江苏省常州市溧阳市溧城镇东门大街67号 |