高耐电压片式陶瓷电容器的制备方法

摘要

本发明提供的高耐电压片式陶瓷电容器的制备方法，涉及电子信息材料与元器件技术领域，包括瓷浆分散、流延陶瓷膜片、印刷内电极、交错叠层、匀压、切割、排塑、烧结、倒角、涂端和烧银工序，瓷浆的溶剂是甲苯和乙醇，印刷内电极工序中，内电极材料是低温烧结的银钯合金，所述涂端工序中，端电极材料是银Ag，具体的，在瓷浆分散工序中，瓷粉是Ba-Ti-Nd基瓷粉，Ba-Ti-Nd基瓷粉的粒度是0.22-0.95μm的球形或近球形体，瓷浆的溶剂是甲苯和乙醇以1-2.5：1的混合体。本发明所要解决的技术问题是提供一种高耐电压片式陶瓷电容器的制备方法，有效实现了制作高频高耐电压的片式陶瓷电容器，同时，有效降低制作成本。

主权项

一种高耐电压片式陶瓷电容器的制备方法，包括瓷浆分散、流延陶瓷膜片、印刷内电极、交错叠层、匀压、切割、排塑、烧结、倒角、涂端和烧银工序，所述瓷浆的溶剂是甲苯和乙醇，所述印刷内电极工序中，内电极材料是低温烧结的银钯合金，所述涂端工序中，端电极材料是银Ag，其特征在于：在瓷浆分散工序中，瓷粉是Ba‑Ti‑Nd基瓷粉，Ba‑Ti‑Nd基瓷粉的粒度是0.22‑0.95μm的球形或近球形体，瓷浆的溶剂是质量比为1‑2.5：1的甲苯和乙醇的混合体；所述烧结的温度是980℃‑1050℃，烧结过程分为排塑、升温、保温和降温段，在降温段进行充氮降温；所述的排塑阶段的升温速率是100℃‑150℃/小时，所述的升温阶段的升温速率是150℃‑200℃/小时，所述的保温的时间在2.5‑5小时；所述烧银的温度是740℃‑850℃，烧银的带速是1.6分钟/10cm；所述印刷内电极和交叉叠层的内电极以电场半屏蔽的悬浮且不错位结构排列或所述印刷内电极和交叉叠层的内电极以电场屏蔽的悬浮和上下保护且不错位结构排列。