一种基于Sm₂O₃/n-Si异质结构的紫外光电器件的制备方法

摘要

本发明涉及一种紫外光电器件的制备方法，具体是指一种基于Sm₂O₃/n-Si异质结构的紫外光电器件的制备方法。本发明是通过射频磁控溅射技术在N型Si（100）衬底上沉积一层Sm₂O₃薄膜，然后利用掩膜版在衬底和薄膜上沉积一层约50纳米厚的金（Au）膜作为电极使用。紫外光电器件的光电性能测试结果显示该器件具有很好的光电响应。本发明的优点是：本发明制备的光电器件性能稳定，反应灵敏，暗电流小，具有好的潜在应用；另外，该制备工艺具有可控性强，操作简单，普适性好等特点，具有很大的应用前景。

主权项

一种基于Sm₂O₃/n‑Si异质结构的紫外光电器件的制备方法，其特征在于该工艺具有如下步骤：硅衬底预处理：将N型Si（100）硅片放入V(HF):V(H₂O₂)=l:5的溶液中浸泡以去除自然氧化层，然后用丙酮、乙醇和去离子水分别超声清洗，并真空干燥；放置靶材和衬底：把Sm₂O₃靶材放置在射频磁控溅射系统的靶台位置，用挡板遮住步骤1）处理后的硅衬底一半，将硅衬底固定在样品托上，放进真空腔；薄膜沉积过程：在磁控溅射系统沉积过程中，先将腔体抽真空，加热硅衬底，通入氩气，调整真空腔内的压强，其中，Sm₂O₃靶材与硅衬底的距离设定为3‑6 厘米，溅射功率为120‑160 w，沉积时间为0.5‑2 小时；然后进行原位退火；器件电极的制备：利用掩膜版并通过射频磁控溅射技术在Sm₂O₃/n‑Si异质结上面沉积一层Au薄膜作为测量电极。