| 发明名称 | 一种PVD制备半导体装备用抗高温蠕变接地基片的方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种制备半导体装备用抗高温蠕变接地基片的方法，具体涉及一种PVD制备半导体装备用抗高温蠕变接地基片的方法。本发明的技术方案为，以不锈钢、镍合金或耐热钢材料作为半导体装备用抗高温蠕变接地基片的基体，采用PVD技术在所述基体表面制备无氧化纯铝涂层，制得半导体装备用抗高温蠕变接地基片。本发明一方面利用纯铝的导电性能及其与大规模集成电路工艺的相容性，另一方面利用基体的力学性能解决接地基片抗高温蠕变性不够的问题。 | ||
| 申请公布号 | CN104928625A | 申请公布日期 | 2015.09.23 |
| 申请号 | CN201510268660.2 | 申请日期 | 2015.05.22 |
| 申请人 | 沈阳富创精密设备有限公司 | 发明人 | 熊天英;吴杰;沈艳芳;崔新宇;金花子;吴敏杰;唐伟东;侯涛;李茂程 |
| 分类号 | C23C14/16(2006.01)I;C23C14/22(2006.01)I | 主分类号 | C23C14/16(2006.01)I |
| 代理机构 | 沈阳优普达知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 21234 | 代理人 | 任凯 |
| 主权项 | 一种PVD制备半导体装备用抗高温蠕变接地基片的方法，其特征在于，所述方法以不锈钢、镍合金或耐热钢材料作为半导体装备用抗高温蠕变接地基片的基体，采用PVD技术在所述基体表面制备无氧化纯铝涂层，制得半导体装备用抗高温蠕变接地基片。 | ||
| 地址 | 110168 辽宁省沈阳市浑南新区飞云路18甲-1号 | ||