发明名称 |
新型F波段三倍频器 |
摘要 |
本发明公开了一种新型F波段三倍频器,涉及太赫兹器件技术领域。本发明采用高截止频率GaN基肖特基二极管作为非线性倍频器件,输入输出采用波导微带过度电路形式,输入端基波信号过度到石英电路上接基波低通滤波器,经基波匹配电路后达到GaN基肖特基二极管,产生三次谐波信号,三次谐波经输出端匹配电路后,经微带波导转换达到输出波导端输出。其中基波低通滤波器可以通过基波输入信号,阻止二次谐波和三次谐波信号,输出端采用减高波导,减高波导的设计尺寸要求可以截止基波的二次谐波频率。所述三倍频器的耐受功率高、散热性能好、可靠性更好。 |
申请公布号 |
CN104935254A |
申请公布日期 |
2015.09.23 |
申请号 |
CN201510360823.X |
申请日期 |
2015.06.26 |
申请人 |
中国电子科技集团公司第十三研究所 |
发明人 |
王俊龙;杨大宝;梁士雄;邢东;张立森;赵向阳;冯志红 |
分类号 |
H03B19/14(2006.01)I |
主分类号 |
H03B19/14(2006.01)I |
代理机构 |
石家庄国为知识产权事务所 13120 |
代理人 |
苏英杰 |
主权项 |
一种新型F波段三倍频器,其特征在于:包括石英基板(103)、GaN基高截止频率肖特基二极管(110)、射频输出波导(101)和基波输入波导(102),石英基板(103)上的第一传输微带线(104)横跨在基波输入波导(102)上,将基波信号过度到石英微带电路上,第一传输微带线(104)经第二传输微带线(105)、低通滤波器(106)与基板匹配传输线(107)的一端连接,基板匹配传输线(107)的另一端与GaN基高截止频率肖特基二极管(110)的正极连接,GaN基高截止频率肖特基二极管(110)的负极接地;输出匹配微带线(108)的一端与GaN基高截止频率肖特基二极管(110)的正极连接,另一端与输出端过度微带线(109)的一端连接,输出端过度微带线(109)横跨在射频输出波导(101)上,将所需要的谐波信号从石英微带电路过度至射频输出波导(101);所述第一传输微带线(104)、第二传输微带线(105)、低通滤波器(106)、基板匹配传输线(107)、GaN基高截止频率肖特基二极管(110)、输出匹配微带线(108)和输出端过度微带线(109)位于所述石英基板(103)上。 |
地址 |
050051 河北省石家庄市合作路113号 |