砷化镓基低漏电流双悬臂梁开关双栅锁相环电路

摘要

本发明的砷化镓基低漏电流双悬臂梁开关双栅HEMT锁相环电路，由GaAs衬底，增强型HEMT，以及外接的低通滤波器，压控振荡器，高频扼流圈构成。悬臂梁开关通过直流偏置控制，下拉电压设计为HEMT的阈值电压。当两个悬臂梁开关均悬浮断开时，栅电压为0，HEMT截止，能够减小栅极漏电流，降低功耗。当两个悬臂梁开关过直流偏置下拉闭合时，栅电压即为直流偏置，形成二维电子气沟道，HEMT导通，参考信号和反馈信号通过HEMT相乘，漏极输出信号经低通滤波器和压控振荡器循环反馈作用，最终达到锁定。只有一个悬臂梁开关下拉闭合时，可实现对单个信号的放大，使电路具有多功能。本发明提高效率，降低功耗，体积更小，且实现多功能。

主权项

一种砷化镓基低漏电流双悬臂梁开关双栅锁相环电路，其特征在于该锁相环电路的HEMT是生长在GaAs衬底(1)上的增强型HEMT，包括本征GaAs层(2)，本征AlGaAs层(3)，N+AlGaAs层(4)，源极(5)，漏极(6)，栅极(7)，锚区(8)，悬臂梁开关(9)，下拉极板(10)，绝缘层(11)，通孔(12)，引线(13)；GaAs衬底(1)上为本征GaAs层(2)，本征GaAs层(2)上为本征AlGaAs层(3)，本征AlGaAs层(3)上为N+AlGaAs层(4)，源极(5)、漏极(6)分别位于栅极(7)的两侧，源极(5)接地；位于N+AlGaAs层(4)上的两个栅极(7)并列设置，两个悬臂梁开关(9)的一端固定在锚区(8)上，两个悬臂梁开关(9)的另一端分别悬浮在两个栅极(7)上，下拉极板(10)位于悬臂梁开关(9)末端下方，下拉极板(10)接地，绝缘层(11)设置在下拉极板(10)之上，直流偏置通过高频扼流圈和锚区(8)作用在悬臂梁开关(9)上，悬臂梁开关(9)的下拉电压设计为HEMT的阈值电压；漏极(6)输出信号可选择两种工作方式，一种是选择第一端口(14)连接低通滤波器，低通滤波器的输出连接压控振荡器，压控振荡器的输出选择第三端口(16)作为反馈信号通过锚区(8)加载在一个悬臂梁开关(9)上，参考信号通过锚区(8)加载到另一个悬臂梁开关(9)上，漏极(6)输出信号的另一种工作方式是选择第二端口(15)直接输出放大信号。