| 发明名称 | 半导体器件及其制造方法、用于传输信号的方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了半导体器件及其制造方法、以及用于传输信号的方法。根据本发明的实施例，半导体器件包括：第一半导体芯片，包括第一线圈；第二半导体芯片，包括感应地耦接于第一线圈的第二线圈；以及隔离中间层，位于第一半导体芯片与第二半导体芯片之间。 | ||
| 申请公布号 | CN102610588B | 申请公布日期 | 2015.09.23 |
| 申请号 | CN201210016492.4 | 申请日期 | 2012.01.18 |
| 申请人 | 英飞凌科技股份有限公司 | 发明人 | 马库斯·哈默;伯恩哈德·科诺特;安德烈亚斯·斯特拉瑟;乌韦·瓦尔;斯特凡·维尔科费尔 |
| 分类号 | H01L23/522(2006.01)I;H01L23/64(2006.01)I;H01L23/495(2006.01)I;H01L21/60(2006.01)I;H04L25/02(2006.01)I | 主分类号 | H01L23/522(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人 | 余刚;吴孟秋 |
| 主权项 | 一种半导体器件，包括：第一半导体芯片，包括第一线圈；第二半导体芯片，包括感应地耦接于所述第一线圈的第二线圈；以及隔离中间膜，位于所述第一半导体芯片与所述第二半导体芯片之间，其中，所述隔离中间膜是包含聚酰亚胺的双侧粘合膜或粘附膏，所述隔离中间膜具有在60kV/mm与100kV/mm之间的介电强度。 | ||
| 地址 | 德国瑙伊比贝尔格市 | ||