| 发明名称 | 抑制内部空间电荷的交联聚乙烯复合材料及其制备方法和应用 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种抑制内部空间电荷的交联聚乙烯复合材料及其制备方法和应用，所述复合材料由低密度聚乙烯和SiC纳米粒子在交联剂的辅助下复合而成；所述SiC纳米粒子含量为1～5wt％；所述聚合物基体为低密度聚乙烯，密度分布为0.910～0.925mg/cm<sup>3</sup>，融化指数为2.1～2.2g/10min，熔点为105℃～112℃。本发明制备的XLPE/SiC复合介质，内部的空间电荷密度小于未添加纳米粒子的交联聚乙烯，说明SiC纳米粒子能够有效的改善交联聚乙烯内部的空间电荷分布，削弱电场的畸变。 | ||
| 申请公布号 | CN104927175A | 申请公布日期 | 2015.09.23 |
| 申请号 | CN201510434288.8 | 申请日期 | 2015.07.22 |
| 申请人 | 重庆大学 | 发明人 | 王有元;王灿;陈伟根;李剑;杜林;周湶;王飞鹏 |
| 分类号 | C08L23/06(2006.01)I;C08K5/14(2006.01)I;C08K3/34(2006.01)I;B29C35/02(2006.01)I;C08J3/24(2006.01)I;H01B3/44(2006.01)I | 主分类号 | C08L23/06(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京同恒源知识产权代理有限公司 11275 | 代理人 | 赵荣之 |
| 主权项 | 抑制内部空间电荷的交联聚乙烯复合材料，其特征在于，由低密度聚乙烯和SiC纳米粒子在交联剂的辅助下复合而成；所述SiC纳米粒子含量为1～5wt％；所述聚合物基体为低密度聚乙烯，密度分布为0.910～0.925mg/cm<sup>3</sup>，融化指数为2.1～2.2g/10min，熔点为105℃～112℃。 | ||
| 地址 | 400044 重庆市沙坪坝区沙坪坝正街174号 | ||