| 发明名称 | 半导体装置 | ||
| 摘要 | 本发明的半导体装置，具备：第1电位的第1电极和第2电极，在第1方向上延伸；第2电位的第3电极和第4电极，在第1方向上延伸，第3电极和第4电极以夹持第1电极的方式设置，第2电位与第1电位不同；以及第1电位的第5电极和第6电极，在第1方向上延伸，第5电极和第6电极以夹持第2电极的方式设置。半导体装置还具备：半导体层，设置在第3电极和第4电极的某一个与第5电极和第6电极的某一个之间；以及第1电位的第1布线，设置在第2电极、第5电极、第6电极、以及半导体层上。 | ||
| 申请公布号 | CN104934467A | 申请公布日期 | 2015.09.23 |
| 申请号 | CN201410400080.X | 申请日期 | 2014.08.14 |
| 申请人 | 株式会社东芝 | 发明人 | 西口俊史;奥村秀树 |
| 分类号 | H01L29/417(2006.01)I;H01L29/423(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/417(2006.01)I |
| 代理机构 | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人 | 高迪 |
| 主权项 | 一种半导体装置，具备：第1电位的第1电极和第2电极，在第1方向上延伸；第2电位的第3电极和第4电极，在所述第1方向上延伸，所述第3电极和所述第4电极以夹持所述第1电极的方式设置，所述第2电位与所述第1电位不同；所述第1电位的第5电极和第6电极，在所述第1方向上延伸，所述第5电极和所述第6电极以夹持所述第2电极的方式设置；半导体层，设置在所述第3电极和所述第4电极的某一个与所述第5电极和所述第6电极的某一个之间；以及所述第1电位的第1布线，设置在所述第2电极、所述第5电极、所述第6电极、以及所述半导体层上。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||