| 发明名称 | 超导元件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及超导元件及其制造方法。根据一个实施方案，超导元件包括超导层、基础层和中间层。超导层由包含Cu和Ba的氧化物制成。基础层由二氧化铈制成。中间层设置在基础层和超导层之间，并且由Ba<sub>x</sub>Ca<sub>y</sub>CeO<sub>3</sub>(0.6<x<0.8且0.2<y<0.4)制成。 | ||
| 申请公布号 | CN104934528A | 申请公布日期 | 2015.09.23 |
| 申请号 | CN201510096969.8 | 申请日期 | 2015.03.04 |
| 申请人 | 株式会社东芝 | 发明人 | 中山浩平;河口民雄;池内裕章;加屋野博幸 |
| 分类号 | H01L39/12(2006.01)I;H01L39/24(2006.01)I | 主分类号 | H01L39/12(2006.01)I |
| 代理机构 | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人 | 张海涛;于辉 |
| 主权项 | 超导元件，其包括：含有Cu和Ba的氧化物的超导层；二氧化铈基础层；以及设置在基础层和超导层之间的Ba<sub>x</sub>Ca<sub>y</sub>CeO<sub>3</sub>(0.6<x<0.8且0.2<y<0.4)中间层。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||