半导体发光器件中的p接触电阻的控制

摘要

根据本发明的实施例的器件包括半导体器件结构（10），半导体器件结构包括置于n型半导体区（16）和p型半导体区（12）之间的发光区（14）。垂直于半导体器件结构（10）的生长方向的p型半导体区（12）的表面包括第一部分和第二部分。第一部分的导电性不及第二部分。该器件进一步包括置于p型半导体区（12）上的p接触（21）和置于n型半导体区（16）上的n接触（26）。p接触（21）包括接触金属层（20）和阻塞材料层（24）。阻塞材料层（24）被置于第一部分上方，并且没有阻塞材料层（24）被置于第二部分上方。

主权项

一种器件，包括：半导体结构，其包括置于n型区和p型区之间的发光层，其中所述p型区的表面包括第一部分和第二部分，其中所述表面垂直于所述半导体结构的生长方向，其中所述第一部分的导电性不及所述第二部分；和形成在所述p型区上的p接触，所述p接触包括：　　反射器；和　　阻塞材料，其中所述阻塞材料被置于所述第一部分上方，并且没有阻塞材料被置于所述第二部分上方。