| 发明名称 | 沉积方法及半导体装置的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明的目的之一在于提供一种利用DC溅射法形成氧化镓膜的沉积方法。本发明的目的之一还在于提供一种半导体装置的制造方法，在该半导体装置中将氧化镓膜用作晶体管的栅极绝缘层等的绝缘层。使用含有氧化镓（也写为GaO<sub>X</sub>）的氧化物靶材并且通过DC溅射法或脉冲DC溅射方式形成绝缘膜。氧化物靶材含有GaO<sub>X</sub>，其中X小于1.5，优选为0.01以上且0.5以下，更优选为0.1以上且0.2以下。该氧化物靶材具有导电性，并且在氧气体气氛或氧气体和如氩等的稀有气体的混合气氛下进行溅射。 | ||
| 申请公布号 | CN102844847B | 申请公布日期 | 2015.09.23 |
| 申请号 | CN201180019418.1 | 申请日期 | 2011.04.12 |
| 申请人 | 株式会社半导体能源研究所 | 发明人 | 山崎舜平;坂田淳一郎;古野诚 |
| 分类号 | H01L21/316(2006.01)I;C23C14/08(2006.01)I;C23C14/34(2006.01)I;H01L29/786(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/316(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人 | 杨美灵;朱海煜 |
| 主权项 | 一种半导体装置的制造方法，包括如下步骤：形成栅电极；通过溅射法形成包括第一氧化镓膜的栅极绝缘层；在所述栅极绝缘层上形成与所述栅电极重叠的氧化物半导体层；以及通过所述溅射法与所述氧化物半导体层接触地形成第二氧化镓膜，其中，所述氧化物半导体层包括由化学式InMO<sub>3</sub>(ZnO)<sub>m</sub>(m>0)表示的材料，以及其中，M表示选自锌、镓、铝、锰、以及钴中的一种或多种金属元素。 | ||
| 地址 | 日本神奈川县厚木市 | ||