基于PNPN结构的SRAM电路及其读写方法

摘要

本发明提供了一种基于PNPN结构的SRAM电路，包括多条位线、多条字线、分别与每一条位线以及每一条字线相连的多个存储器单元、串联在每一条位线输入端的多个电位控制器件、串联在每一条位线输出端的多个反相器，其特征在于，存储器单元为PNPN二极管结构的双端器件。本发明的基于PNPN结构的SRAM，由于采取PNPN二极管作为存储器单元，占用面积小、功耗低，有利于SRAM的大规模集成及电路整体性能的提高。由于PNPN二极管独特的反转特性，控制两端电压差就能方便改写存储器单元存储的逻辑值，SRAM写入操作快、错误率低。此外，由于在位线输入端连接有电阻或MOSFET，输出端连接有反相器，SRAM电路读取速度快。

主权项

一种基于PNPN结构的SRAM电路，包括多条位线、多条字线、多个存储器单元、串联在每一条位线输入端的多个电位控制器件、串联在每一条位线输出端的多个反相器，其特征在于，所述存储器单元为PNPN二极管结构的双端器件，每个电位控制器件连接多个双端的存储器单元，每个存储器单元与一条位线和一条字线相连，PNPN二极管结构的双端器件具有正向阻断和正向导通两种双稳态，当PNPN二极管结构两端电压差大于等于正向导通电压且小于等于正向转折电压时，存储器单元保持其存储的逻辑信号。