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一种氮化镓基低漏电流悬臂梁开关乙类推挽功率放大器，其特征在于该功率放大器由第一悬臂梁开关N型MESFET(1)，第二悬臂梁开关N型MESFET(19)，第三悬臂梁开关N型MESFET(20)和悬臂梁开关P型MESFET(2)，恒流源(18)，LC回路构成，该功率放大器使用的第一悬臂梁开关N型MESFET(1),第二悬臂梁开关N型MESFET(19)和第三悬臂梁开关N型MESFET(20)基于GaN衬底，其输入引线(4)是利用金制作，源极(10)和漏极(12)由金属和重掺杂N区形成欧姆接触构成，栅极(5)由钛/铂/金合金和N型有源层(11)形成肖特基接触构成，在悬臂梁开关N型MESFET的栅极(5)上方悬浮着悬臂梁开关(6)，交流信号加载在悬臂梁开关(6)上，该悬臂梁开关(6)由钛/金/钛制作，悬臂梁开关(6)两个锚区(7)制作在半绝缘GaN衬底(3)上，在悬臂梁开关(6)与衬底之间存在下拉电极(8)，下拉电极(8)由氮化硅材料(9)覆盖，第二悬臂梁开关N型MESFET(19)、第三悬臂梁开关N型MESFET(20)的下拉电极(8)接地，第一悬臂梁开关N型MESFET(1)的下拉电极通过高频扼流圈接电源‑V2，第一悬臂梁开关N型MESFET(1)的漏极(12)通过引线(14)和高频扼流圈接到电源+V1上；该功率放大器使用的悬臂梁开关P型MESFET(2)基于GaN衬底，其输入引线(4)是利用金制作，源极(17)和漏极(16)由金属和重掺杂P区形成欧姆接触构成，栅极(5)由金属钛/铂/金合金和P型有源层(15)形成肖特基接触构成，在悬臂梁开关P型MESFET(2)的栅极(5)上方悬浮着悬臂梁开关(6)，交流信号加载在悬臂梁开关(6)上，该悬臂梁开关(6)由钛/金/钛制作，悬臂梁开关(6)两个锚区(7)制作在半绝缘GaN衬底(3)上，在悬臂梁开关(6)与衬底之间存在下拉电极(8)，下拉电极(8)由氮化硅材料(9)覆盖，悬臂梁开关P型MESFET(2)的下拉电极(8)通过高频扼流圈接电源+V2,悬臂梁开关P型MESFET的漏极(16)通过引线(14)和高频扼流圈接电源‑V1上,第一悬臂梁开关N型MESFET(1)和悬臂梁开关P型MESFET(2)的悬臂梁开关(6)通过锚区(7)、引线(4)连在一起作为该乙类推挽式功率放大器的输入端vi，第一悬臂梁开关N型MESFET(1)的源极(10)和悬臂梁开关P型MESFET(2)的源极(17)接在一起作为输出端vo，输出端通过一个隔直流电容与LC回路和交叉耦合的第二悬臂梁开关N型MESFET(19)和第三悬臂梁开关N型MESFET(20)相连,第二悬臂梁开关N型MESFET(19)的漏极(12)通过引线(14)和第三悬臂梁开关N型MESFET(20)的悬臂梁开关(6)接到一起并通过高频扼流圈与电源+V3相连，第三悬臂梁开关N型MESFET(20)的漏极(12)通过引线(14)和第二悬臂梁开关N型MESFET(19)的悬臂梁开关(6)接到一起并通过高频扼流圈与电源+V3相连，第二悬臂梁开关N型MESFET(19)和第三悬臂梁开关N型MESFET(20)形成交叉耦合结构，第二悬臂梁开关NMESFET(19)的源极(10)和第三悬臂梁开关N型MESFET(20)的源极(10)连在一起并与恒流源(18)相连，恒流源(18)的另一端接地，LC回路接在第二悬臂梁开关N型MESFET(19)和第三悬臂梁开关N型MESFET(20)的漏极(12)之间，悬臂梁开关N型MESFET(1)的悬臂梁开关(6)为宽梁，第二悬臂梁开关N型MESFET(19)和第三悬臂梁开关N型MESFET(20)的悬臂梁开关(6)为窄梁。 |
