发明名称 |
超高频功率变换器的3D集成架构 |
摘要 |
一种超高频功率变换器的3D集成架构,包括PCB电路层和架设于PCB电路层上面的绕组单元,该绕组单元与PCB电路层通过导线连接,该绕组单元包括形成于第一绝缘层上的绕组层和形成于第二绝缘层上的第一软磁薄膜层,该第一软磁薄膜层叠置于绕组层的下面,用以实现绕组层与PCB电路层之间的磁场屏蔽。与现有技术相比,本发明利用3D集成,减小变换器的体积,提高功率密度;并利用软磁材料构成磁屏蔽层,解决了绕组与PCB电路层、绕组与外部金属之间的磁场干扰问题,增大绕组的Q值,减小电感和变压器的交流电阻和高频损耗,提高变换器的工作效率;还利用平面磁性元件,保证了产品的小型化和扁平化。且磁性元件的温升大大减小,改善半导体器件的工作环境。 |
申请公布号 |
CN104934209A |
申请公布日期 |
2015.09.23 |
申请号 |
CN201510353635.4 |
申请日期 |
2015.06.24 |
申请人 |
广州金升阳科技有限公司;南京航空航天大学 |
发明人 |
周嫄;任小永;张之梁;邹学文;余凤兵 |
分类号 |
H01F37/00(2006.01)I;H01F27/28(2006.01)I |
主分类号 |
H01F37/00(2006.01)I |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
一种超高频功率变换器的3D集成架构,其特征在于:包括PCB电路层和架设于PCB电路层上面的绕组单元,该绕组单元与PCB电路层通过导线连接,该绕组单元包括形成于第一绝缘层上的绕组层和形成于第二绝缘层上的第一软磁薄膜层,该第一软磁薄膜层叠置于绕组层的下面,用以实现绕组层与PCB电路层之间的磁场屏蔽。 |
地址 |
510663 广东省广州市萝岗区科学城科学大道科汇发展中心科汇一街5号 |