| 发明名称 | 一种低温多晶硅薄膜及其制作方法、相关器件 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种低温多晶硅薄膜及其制作方法、相关器件，主要内容包括：提供一衬底基板，在所述衬底基板之上形成储热功能层，在所述储热功能层之上形成第一缓冲层，以及形成覆盖所述第一缓冲层的第一非晶硅层，对形成第一非晶硅层的衬底基板进行准分子激光退火工艺，形成低温多晶硅薄膜，其中，所述储热功能层能够与第一非晶硅层同步进入吸热状态，以及同步进入散热状态。从而，在进行准分子激光退火工艺时，位于表层的第一非晶硅层可以利用底层的储热功能层释放的能量延缓冷却时长，从而，延长了低温多晶硅的生长时长，增大了低温多晶硅的晶粒尺寸。 | ||
| 申请公布号 | CN104934372A | 申请公布日期 | 2015.09.23 |
| 申请号 | CN201510250931.1 | 申请日期 | 2015.05.15 |
| 申请人 | 京东方科技集团股份有限公司 | 发明人 | 徐文清;田宏伟;龙春平 |
| 分类号 | H01L21/77(2006.01)I;H01L29/786(2006.01)I;H01L27/32(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/77(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人 | 黄志华 |
| 主权项 | 一种低温多晶硅薄膜的制作方法，其特征在于，包括：提供一衬底基板；在所述衬底基板之上形成储热功能层；在所述储热功能层之上形成第一缓冲层，以及形成覆盖所述第一缓冲层的第一非晶硅层；对形成第一非晶硅层的衬底基板进行准分子激光退火工艺，形成低温多晶硅薄膜，其中，所述储热功能层能够与第一非晶硅层同步进入吸热状态，以及同步进入散热状态。 | ||
| 地址 | 100015 北京市朝阳区酒仙桥路10号 | ||