发明名称 |
一种NAND闪存出现ECC无法纠错时的数据恢复方法 |
摘要 |
本发明公开了一种MLC/TLC/QLC Nand闪存出现ECC无法纠正错误时的数据恢复方法。本发明实施例方法包括:当读操作到来时,设所读page为当前page;判断当前page的bit错误是否可通过ECC纠正,若否,则判断此Page是否有lower Page,若有lower page,将lower pages的数据读出来并记录bit翻转信息;根据当前page的lower pages的bit翻转信息修改当前page的数据;然后重新对当前page做ECC纠正。本发明能恢复大部分Nand Flash出现ECC无法纠正的错误时的数据。 |
申请公布号 |
CN104932951A |
申请公布日期 |
2015.09.23 |
申请号 |
CN201510403709.0 |
申请日期 |
2015.07.12 |
申请人 |
符方晓 |
发明人 |
符方晓 |
分类号 |
G06F11/08(2006.01)I;G06F3/06(2006.01)I |
主分类号 |
G06F11/08(2006.01)I |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
一种MLC/TLC/QLC NAND闪存出现ECC无法纠正错误时的数据恢复方法,其特征在于,包括:读NAND闪存的操作到来;设所读page为当前page,判断当前page的bit错误是否可通过ECC纠正,若是则读操作完成,若否则将当前page的lower pages读出来做ECC并记录bit翻转信息,然后根据lower pages的bit翻转信息修改当前page的bits;重新对当前page做ECC校验。 |
地址 |
102200 北京市昌平区沙河镇兆丰家园东区7号楼3单元903 |