| 发明名称 | 半导体器件及其制作方法 | ||
| 摘要 | 本申请公开了一种半导体器件及其制作方法。该半导体器件包括：衬底；沟槽隔离结构，形成于衬底中；栅极，形成于相邻沟槽隔离结构之间的衬底的表面上；第一介质层，形成于栅极的侧壁上，且至少部分设置在相邻沟槽隔离结构之间的衬底的表面上，以使得栅极的宽度小于相邻沟槽隔离结构之间的衬底表面的宽度。上述半导体器件通过在栅极两侧的设置两个第一介质层，在不改变相邻沟槽隔离结构之间宽度的前提下，增加了相邻栅极之间的距离，进而改善半导体器件的短沟道效应，从而提高了半导体器件的性能。 | ||
| 申请公布号 | CN104934428A | 申请公布日期 | 2015.09.23 |
| 申请号 | CN201410103887.7 | 申请日期 | 2014.03.19 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 平延磊;潘晶 |
| 分类号 | H01L27/115(2006.01)I;H01L29/423(2006.01)I;H01L21/8247(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/115(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人 | 吴贵明;张永明 |
| 主权项 | 一种半导体器件，其特征在于，所述半导体器件包括： 衬底； 沟槽隔离结构，形成于所述衬底中； 栅极，形成于相邻所述沟槽隔离结构之间的衬底的表面上； 第一介质层，形成于所述栅极的侧壁上，且至少部分设置在相邻所述沟槽隔离结构之间的衬底的表面上，以使得所述栅极的宽度小于相邻所述沟槽隔离结构之间的衬底表面的宽度。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||