发明名称 |
相移掩膜的制造方法及相移掩膜 |
摘要 |
在相移层形成工序中,通过设定气氛气体中的氧化性气体的流量比,从而在透明基板(S)上将相移层(11b、11c、11d)形成为多级。然后,在相移图案的形成工序中,对所述相移层进行湿式蚀刻,以形成将所述相移层的厚度变化设定为多级的多级区域(B1bh、B1bi)。 |
申请公布号 |
CN104937490A |
申请公布日期 |
2015.09.23 |
申请号 |
CN201480005621.7 |
申请日期 |
2014.04.17 |
申请人 |
爱发科成膜株式会社 |
发明人 |
望月圣;中村大介;小林良纪;影山景弘 |
分类号 |
G03F1/28(2006.01)I;G03F1/29(2006.01)I |
主分类号 |
G03F1/28(2006.01)I |
代理机构 |
北京德琦知识产权代理有限公司 11018 |
代理人 |
杨晶;王琦 |
主权项 |
一种相移掩膜的制造方法,所述相移掩膜具有:透明基板;以及相移层,至少具有在所述透明基板的表面以固定厚度形成的部分,并以Cr为主要成分,针对300nm以上且500nm以下的波长区域的任意一种光能够具有180°相位差,其特征在于,所述相移掩膜的制造方法具有:在所述透明基板上将所述相移层形成为多级的工序;以及对所述相移层进行湿式蚀刻,并以使所述相移层与所述透明基板具有俯视观察到的边界部分的方式,对所述相移层进行图案化以形成相移图案的工序,在俯视观察到的所述相移层与所述透明基板的边界部分中,形成将所述相移层的厚度变化设定为多级的多级区域。 |
地址 |
日本埼玉县 |