三维半导体装置及其操作方法

摘要

本发明提供一种三维半导体装置及其操作方法，该三维半导体装置包括二维地布置在基底上的有源图案、三维地布置在有源图案之间的电极、三维地布置在由有源图案和电极限定的交叉点处的存储区域。每个有源图案用作用于电连接形成在距基底高度相同处的两个不同的存储区域的共用电流路径。

主权项

一种三维半导体装置，包括：电极结构，包括三维布置的多个电极；多个有源图案，穿过所述电极结构；信息存储元件，设置在所述电极结构和所述多个有源图案之间；第一连接区域、第二连接区域以及在第一连接区域和第二连接区域之间的单元阵列区域；第一互连线，连接到第一连接区域中的电极；以及第二互连线，连接到第二连接区域中的电极，其中，位于有源图案之一的相对侧的两个电极电隔离，其中，所述电隔离是在三维半导体装置中设置在有源图案中的每个有源图案的相对侧的一侧上的电极之一与所述有源图案的相对侧的另一侧上的电极之一电隔离。