| 发明名称 | 高电子迁移率晶体管温度传感器 | ||
| 摘要 | 本发明为高电子迁移率晶体管温度传感器。一种集成结构(1)，包括：高电子迁移率晶体管(HEMT)(3)和与HEMT相集成的温度感应结构(8)，温度感应元件(7)配置为提供指示温度的信号，以为HEMT提供温度保护。 | ||
| 申请公布号 | CN104934389A | 申请公布日期 | 2015.09.23 |
| 申请号 | CN201510113995.7 | 申请日期 | 2015.03.16 |
| 申请人 | 恩智浦有限公司 | 发明人 | 迪利普·马达夫·瑞恩布德 |
| 分类号 | H01L23/40(2006.01)I;G01K7/00(2006.01)I | 主分类号 | H01L23/40(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 王波波 |
| 主权项 | 一种集成结构，其特征在于，包括：高电子迁移率晶体管(HEMT)和与HEMT相集成的温度感应结构，所述温度感应结构配置为提供指示温度的信号，以为所述HEMT提供温度保护。 | ||
| 地址 | 荷兰艾恩德霍芬 | ||