INTEGRATED CIRCUIT DEVICES AND METHODS FOR MANUFACTURING THEREOF

摘要

집적 회로 디바이스 및 이의 형성 방법이 제공된다. 디바이스는 구리 함유 금속 상호접속 구조물 위에 형성된 유전체 장벽 층을 포함한다. 유전체 장벽 층은 Cu의 전기 이동을 억제한다. 유전체 장벽 층은 상호접속 구조물과 인터페이스를 형성하는 금속 함유 층을 포함한다. 계면 층 내에 금속을 통합하는 것은 구리 라인 등에 대한 유전체 장벽 층의 부착을 개선하고 디바이스의 동작 수명기간에 걸쳐 우수한 전자 이동 저항을 제공한다.