| 摘要 |
<p>반도체층과, 반도체층에 각각 겹쳐지는 복수의 전극부와, 각 복수의 전극부끼리의 사이에 배치되어 반도체층에 겹쳐지는 절연막을 구비한 반도체 장치를 제조한다. 그 제조방법에는, 절연막에 의해 일부가 피복된 산화물 반도체층을 형성하는 공정과, 산화물 반도체층 및 절연막을 피복하는 도전성 재료층을 형성하는 공정과, 포토리소 그래피 및 플라즈마 드라이 에칭에 의해, 도전성 재료층으로부터 복수의 전극부를 형성하고, 복수의 전극부 및 절연막으로부터 산화물 반도체층의 일부를 노출시키는 공정과, 복수의 전극부 및 절연막으로부터 노출하는 산화물 반도체층의 일부를 제거함으로써, 반도체층을 형성하는 공정이 포함된다.</p> |
