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<p>dispositivo semicondutor. trata-se de um dispositivo semicondutor que inclui uma camada de desvio de carboneto de silício (sic) disposta em um substrato sic orientado (0001). a camada de desvio de sic tem uma superfície não plana que inclui uma pluralidade de atributos em repetição que são orientados paralelamente a um comprimento de um canal do dispositivo semicondutor. ademais, a região de canal é disposta em um plano particular cristalográfico da camada de desvio de sic.</p> |
