半导体装置及其制造方法

主权项

一种半导体装置之制造方法，包括：提供一基材；形成一第一凸块下金属(UBM)层于该基材上；形成一罩幕层于该第一凸块下金属层上，其中该罩幕层具有一开口，暴露一部份之该第一凸块下金属层；进行一无电电镀制程以形成一第二凸块下金属层于该罩幕层之该开口所暴露之该第一凸块下金属层上；形成一焊料层于该罩幕层之该开口中的第二凸块下金属层上；移除该罩幕层；移除该焊料层未覆盖的该第一凸块下金属层；形成一铜柱于该罩幕层之该开口中的该第二凸块下金属层与该焊料层之间；以及形成一镍层于该罩幕层之该开口中之该铜柱上。