| 发明名称 |
透明导电膜之制造方法、透明导电膜之制造装置、溅镀靶及透明导电膜 |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
TWI500786 |
申请公布日期 |
2015.09.21 |
| 申请号 |
TW099139744 |
申请日期 |
2010.11.18 |
| 申请人 |
爱发科股份有限公司 |
发明人 |
汤川富之;武井应树;小林大士;赤松泰彦;清田淳也;增泽健二;石桥晓 |
| 分类号 |
C23C14/08;C23C14/34;C22C29/12 |
主分类号 |
C23C14/08 |
| 代理机构 |
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代理人 |
张耀晖 台北市大安区敦化南路2段71号18楼;庄志强 台北市大安区敦化南路2段71号18楼 |
| 主权项 |
一种透明导电膜之制造方法，其系将基板配置于含有靶材之腔室内，前述靶材系包含由氧化铟所构成之第1成分、由氧化锡所构成之第2成分、及由选自于镧、钕、镝、铕、钆、铽、锆、铝、矽、钛及硼之中至少1种的氧化物所构成之第3成分，该第3成分之添加量(αOx)可以数学式0.06≦{αOx/(In2O3+SnO+αOx)}≦6〔原子%〕表示，该第1成分及该第2成分之重量比为In2O3：SnO=97.5：2.5~85：15；溅镀前述靶材藉以在基板上形成氧化铟锡薄膜；以含有草酸之蚀刻液将前述氧化铟锡薄膜图案化，并使前述氧化铟锡薄膜藉由热处理而结晶化。 |
| 地址 |
日本 |
