发明名称 能带隙参考电路及能带隙参考电流源
摘要
申请公布号 TWI501067 申请公布日期 2015.09.21
申请号 TW099127556 申请日期 2010.08.18
申请人 联咏科技股份有限公司 发明人 胡敏弘;丁振国;吴振聪
分类号 G05F3/16 主分类号 G05F3/16
代理机构 代理人 吴丰任 新北市永和区福和路389号6楼之3;戴俊彦 新北市永和区福和路389号6楼之3
主权项 一种能带隙参考(bandgap reference)电路,具有较小布局面积,包含有:一第一双载子电晶体,包含有一第一端及一第二端耦接于一地端;一第一电阻,用来产生一正温度系数(proportional to absolute temperature,PTAT)电流;一第二双载子电晶体,包含有一第一端耦接于该第一电阻,及一第二端与一第三端耦接于一地端;一第二电阻,具有与该第一电阻之阻值呈一特定比例之阻值,用来产生一负温度系数(complementary to absolute temperature,CTAT)电流;一第一运算放大器,包含有一第一输入端耦接于该第一双载子电晶体之一第三端,及一第二输入端耦接于该第一电阻:一第二运算放大器,包含有一第一输入端耦接于该第一双载子电晶体之该第三端,及一第二输入端耦接于该第二电阻:以及一零温度系数(zero temperature correlated,zero-TC)电流产生器,用来加总该正温度系数电流及该负温度系数电流,以产生一零温度系数电流;其中,该第一运算放大器及该第二运算放大器为具有P型金氧半(PMOS)输入对及折叠串接式(folded cascode)架构之 运算放大器,该P型金氧半输入对接收来自第一运算放大器及第二运算放大器外部之输入电压。
地址 新竹市新竹科学园区创新一路13号2楼