发明名称 阶层化阵列搭配动态区段防护之源极编码NOR型唯读记忆体
摘要
申请公布号 TWI501355 申请公布日期 2015.09.21
申请号 TW102107699 申请日期 2013.03.05
申请人 国立中正大学 发明人 王进贤;王昭翔
分类号 H01L21/8246;H01L27/112 主分类号 H01L21/8246
代理机构 代理人 吴宏亮 台中市南屯区永春东一路549号3楼;刘绪伦 台中市南屯区永春东一路549号3楼
主权项 一种阶层化阵列搭配动态区段防护之源极编码NOR型唯读记忆体,包含有:复数记忆体细胞元,系为N型电晶体(NMOS),且为源极编码NOR型之唯读记忆体细胞元,并且形成复数细胞元阵列,各该细胞元阵列中系由复数个记忆体细胞元排列成彼此交错的复数横列以及复数直行;复数字元线,系以一字元线对应于一该横列的记忆体细胞元的方式,电性连接于该等记忆体细胞元的闸极;复数区域位元线(LBL),系以一区域位元线对应于一该直行记忆体细胞元的方式,电性连接于该等记忆体细胞元的集极;复数奇偶选择电路,系以一奇偶选择电路对应于一该细胞元阵列的方式,电性连接于一该细胞元阵列中的该等记忆体细胞元所对应的区域位元线,用以选择奇数行或偶数行的记忆体细胞元;复数全域位元线(GBL),系以一全域位元线对应于至少一该细胞元阵列中的一直行记忆体细胞元的方式,电性连接于该直行记忆体细胞元所对应的该奇偶选择电路;以及复数奇偶预充电路,系以一奇偶预充电路对应于至少一该细胞元阵列的方式,电性连接于复数该全域位元线,用以通过该等奇偶选择电路来对奇数行或偶数行的记忆体细胞元提供预充之电能; 其中,各该记忆体细胞元的源极系依照资料编码来选择为接地或浮接。
地址 嘉义县民雄乡大学路168号