发明名称 记忆体装置及驱动记忆体装置的方法
摘要
申请公布号 TWI501226 申请公布日期 2015.09.21
申请号 TW101117213 申请日期 2012.05.15
申请人 半导体能源研究所股份有限公司 发明人 远藤正己
分类号 G11C11/40 主分类号 G11C11/40
代理机构 代理人 林志刚 台北市中山区南京东路2段125号7楼
主权项 一种半导体装置,包括:电晶体,包括闸极、第一端和第二端;电源,用于供应电源电位;自举电路,用于将该电源电位输入到该闸极,该自举电路包括延迟电路和电容器;第一线路,用于输入第一信号以控制该自举电路;以及第二线路,用于将第二信号输入到该第一端,其中该第一信号具有等于该电源电位的电位,其中该延迟电路配置成将该第一信号延迟并将所延迟的第一信号输入到该电容器,以及其中该第二信号具有等于该电源电位或接地电位的电位。
地址 日本