| 发明名称 |
闸极对齐接触点及其制造方法 |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
TWI501397 |
申请公布日期 |
2015.09.21 |
| 申请号 |
TW101144710 |
申请日期 |
2012.11.29 |
| 申请人 |
英特尔公司 |
发明人 |
葛隆兹卡 欧雷格;席维库玛 史瓦米那森;瓦勒斯 查理斯Ｈ;迦尼 泰希尔 |
| 分类号 |
H01L29/78;H01L21/28 |
主分类号 |
H01L29/78 |
| 代理机构 |
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代理人 |
恽轶群 台北市松山区南京东路3段248号7楼;陈文郎 台北市松山区南京东路3段248号7楼 |
| 主权项 |
一种半导体结构，其包含：复数闸极结构，其设置成在一基板之上所设的一三维主动区域的一顶表面之上，且其沿着该三维主动区域之数个侧壁设置，该等闸极结构各自包括一闸极介电层、一闸极电极、以及数个侧壁间隔件；复数接触点，各接触点直接地设置在该等复数闸极结构中之两相邻闸极结构的侧壁间隔件之间；以及复数接触点栓塞，各接触栓塞直接地设置在该等复数闸极结构中之两相邻闸极结构的侧壁间隔件之间。
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| 地址 |
美国 |
